Тайваньская компания TSMC готовит под выпуск 2-нм компонент сходу три площадки в различных частях острова, но свежайшие слухи упоминают о способности замедления реализации соответственных проектов. По наименьшей мере одно из компаний, на которых должен быть освоен массовый выпуск 2-нм изделий, займётся профильной деятельностью не ранее 2026 года, как докладывают источники.
Данным информационным поводом нежданно заинтересовался полностью знатный ресурс TrendForce, который ссылается на публикации тайваньских СМИ (Средства массовой информации, масс-медиа — периодические печатные издания, радио-, теле- и видеопрограммы). Как объясняет издание, TSMC рассчитывает освоить выпуск 2-нм продукции на трёх предприятиях в различных частях Тайваня: в Баошане (Синьчжу) на севере, Тайчжуне в центральной части острова, также в Гаосюне на юге.
Сначало, как отмечают источники, TSMC намеревалась выстроить предприятие Fab 20 в Баошане, чтоб оно уже во 2-ой половине последующего года приступило к опытнейшему производству 2-нм продукции, а в 2025 году освоило серийный выпуск 2-нм изделий. На данный момент городские власти силами подрядных организаций приступили к формированию инженерной и дорожной инфраструктуры, которая пригодится будущему предприятию TSMC на севере острова. По слухам, стройку самого компании несколько задержится, так как спрос на полупроводниковые составляющие восстанавливается медлительно, и производитель просто не уверен, что увеличивать будущие мощности необходимо прежними темпами. Заместо 2-ой половины 2025 года, общее создание 2-нм чипов на данной для нас площадке TSMC быть может налажено лишь в 2026 году.
К слову, представители TSMC, по данным TrendForce, все эти слухи сопроводили лишь заявлением о сохранении намеченных темпов ввода в строй новейших компаний. В Гаосюне стройку компании для выпуска 2-нм чипов уже началось, а установка оборудования был должен начаться через месяц опосля компании в Баошане. В центральной части Тайваня предприятие в Тайчжуне начнёт возводиться лишь в последующем году, потому на сроки освоения 2-нм техпроцесса в масштабах всего бизнеса TSMC оно воздействует в меньшей степени. По неким данным, местное предприятие TSMC может сходу перейти к освоению 1,4-нм либо 1 нм техпроцесса, пропустив фазу 2 нм.
Как ожидается, при выпуске 2-нм изделий TSMC будет использовать структуру транзисторов с окружающим затвором (GAA), которую Samsung Electronics уже взяла на вооружение в рамках собственного 3-нм техпроцесса. Сложность данной технологии для TSMC закладывает определённые опасности в части сроков освоения производства 2-нм чипов, также уровня брака. В свою очередь, Intel к 2025 году уже планирует освоить техпроцесс 18A с разными компоновочными новаторствами типа аналога GAA по имени RibbonFET и технологии PowerVia, которая предугадывает подачу питания с обратной стороны подложки. Таковым образом, TSMC в случае появления задержек с освоением 2-нм техпроцесса рискует отстать не только лишь от Samsung, да и от Intel.
