Компания TSMC не раз заявляла, что начнёт серийное создание 3-нм продукции во 2-ой половине 2022 года, но при всем этом будет придерживаться классической структуры транзисторов FinFET. Конкурирующая Samsung готова предложить 3-нм техпроцесс в сопоставимые сроки, причём с новейшей структурой транзисторов с окружающим затвором. Специалисты считают, что первым клиентом Samsung на этом направлении станет сама корейская компания.
На подобные мысли аналитиков наталкивает, как отмечает Business Korea, просочившийся в китайские социальные сети слайд с мероприятия Samsung для клиентов, которое состоялось в этом месяце. Многообещающий план перехода на новейшие техпроцессы предполагает внедрение техпроцесса 3GAP с наиболее сложной структурой в 2023 году. Ранее числилось, что Samsung начнёт выпуск 3-нм продукции по наиболее обычный технологии 3GAE в 2022 году, и представителям AnandTech удалось подтвердить по официальным каналам, что данный план всё ещё в силе.
Исчезновение техпроцесса 3GAE со слайда Samsung для клиентов может разъясняться решением компании употреблять 1-ое поколение технологии для собственных собственных нужд. По словам представителей компании, переговоры с клиентами о использовании GAE тоже ведутся. За счёт перехода на 3-нм техпроцесс Samsung стремится достигнуть роста плотности размещения транзисторов на 35 %, их производительность возрастет на 15 %, или получится понизить энергопотребление на 30 %. Не так давно компания объявила, что вместе с Synopsys уже получила 1-ые цифровые проекты 3-нм изделий, использующих структуру транзисторов GAA с окружающим затвором.
Samsung собирается начать общее создание 4-нм товаров первого поколения в этом полугодии, до второго поколения данная разработка дозреет уже в последующем году. TSMC освоит опытнейшее создание 4-нм компонент в этом квартале. Представители Qualcomm ранее выразили опасение, что серийные 3-нм микропроцессоры в выполнении Samsung сумеют показаться не ранее 2024 года.
